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Gate Dielectric Integrity: Material, Process, and Tool Qualification。

... K. S., Alam, M., Alers, G. B., Sorsch, T.W., Timp, G. L., Baumann, F., Liu, C. T., Ma, Y., and Hwang, D., "Ultra-Thin Gate Dielectrics: They Break Down, ...。

ULSI Process Integration II: Proceedings of the International ...。

M.L. Green , T.W. Sorsch , G.L. Timp , D.A. Muller , B.E.Weir , P. J. ... in Ultra - Thin SiO2 Grown on Ordered Si ( 100 ) , Ultrathin SiO2 and High - K ...。

The Physics and Chemistry of SiO2 and the Si-SiO2 Interface--4, ...。

[ 2 ] M.L. Green , T.W. Sorsch , G.L. Timp , D.A. Muller , B.E. Weir ... ( 3 ] J.H. Stathis and D.J. DiMaria , “ Realiability Projection for Ultra - Thin ...。

High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications。

... K.S. Krisch, M.A. Alam, G.B. Alers, T.W. Sorsch, G.L. Timp, F. Baumann, ... “Structural dependence of dielectric breakdown in ultra-thin gate oxides and ...。

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Dædalus。

Illuminants , Practical , On the Ultra Violet Radiation of , 853 . ... G. L. See Richards , T. W. , Methods for Avoiding these and Kelley , G. L. ...